การประยุกต์ใช้คุณสมบัติ Capacitor HV

High Voltage Ceramic Disc Capacitor 20KV 500PF(20KV 501K)

ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิคแรงสูง 20KV 500PF (20KV 501K)

คำอธิบาย：1. แรงดันไฟฟ้าสูง 20KV, 500pf 2. ความเป็นฉนวนที่แรงดันไฟฟ้า 150%3. ปัจจัยการกระจายต่ำที่ 1%4 Y5T
ส่งคำสั่งซื้อตอนนี้

ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกแรงสูง 20KV 500PF (20KV 501K)

ผู้ผลิต: HVC

ซีรี่ส์: ตัวเก็บประจุชนิดแผ่นเซรามิก

ความจุ: 500pf (501K)

แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: 20KV

ความอดทน: K --- ± 10%

ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: Y5T

ประเภทการติดตั้ง: ตะกั่วผ่านรู

อุณหภูมิในการทำงาน: -25 ℃ ~ + 85 ℃

ความเป็นฉนวน: 150% ของแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด

การกระจายตัวของสีน้ำตาล: 1%

ความต้านทานของฉนวน: ขั้นต่ำ 200 MΩที่ 000 ° C

รายละเอียดสินค้า:

คาปาซิเตอร์สูง, คาปาซิเตอร์สูง, คาปาซิเตอร์สูง, คาปาซิเตอร์กรอง, คาปาซิเตอร์กรอง, คาปาซิเตอร์กรอง, หม้อแปลงไฟฟ้าแรงสูง, คาปาซิเตอร์ 104

การประยุกต์ใช้:

เครื่องตัดฟิวส์กลางแจ้ง, เครื่องตัดฟิวส์แบบแบ่งโหลด, หน่วยตัวเก็บประจุ, ธนาคารตัวเก็บประจุ, หน่วยปิดกั้นตัวเก็บประจุ (CBU), ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า, สวิตช์สูญญากาศตัวเก็บประจุ, สวิตช์ตัวเก็บประจุ, สวิตช์สูญญากาศ, เบรกเกอร์ตัดการเชื่อมต่อแบบรวม

ตัวเก็บประจุเซรามิกและความรู้เกี่ยวกับตัวต้านทาน:

โหมดความล้มเหลวและกลไกของตัวต้านทาน

กลไกการล้มเหลว: กระบวนการทางกายภาพเคมีอุณหพลศาสตร์หรือกระบวนการอื่น ๆ ที่นำไปสู่ความล้มเหลว

โหมดความล้มเหลวหลักและกลไกความล้มเหลวของตัวต้านทานคือ

1) วงจรเปิด: กลไกความล้มเหลวหลักคือการเผาไหม้ของฟิล์มต้านทานหรือการไหลขนาดใหญ่การแตกหักของเมทริกซ์ฝาตะกั่วและการปลดการต้านทาน

2) ความต้านทานล่องลอยเกินกว่าที่กำหนด: ความต้านทานข้อบกพร่องของฟิล์มหรือการเสื่อมสภาพเมทริกซ์มีไอออนโซเดียมที่เคลื่อนย้ายได้, การเคลือบป้องกันที่ไม่ดี

3) การแตกหักของตะกั่ว: ความต้านทานข้อบกพร่องในกระบวนการเชื่อม, การประสานมลพิษ, ความเสียหายจากความเครียดทางกล

4) ลัดวงจร: การย้ายถิ่นของเงินและการปล่อยโคโรนา

ย้อนกลับ:itor 20KV 330PF (20KV 331K) ต่อไป:itor 20KV 1000PF (20KV 102K)